一、一线工程师眼中的国产光刻胶
一线工程师认为国产光刻胶在性能、稳定量产和原材料渠道等方面与国外存在差距，但通过优化配方、与Fab厂深度合作等方式有望实现突破，在国产光刻材料市场占据一席之地。具体如下：
光刻工艺与技术难点CD（关键尺寸）光罩设计与OPC：芯片制造目标图形尺寸变小，干涉和衍射现象明显，影响图形转印，需通过OPC修正光罩图形。
调节喷量：单次喷量控制在1.0cc- 2.0cc左右，过少会产生poor coating，影响光刻过程。
控制膜厚：大部分fab厂要求光刻胶膜厚范围控制在目标膜厚的1%以内，不同厂要求有差异。
工艺参数达标：与对标光刻胶比较，包括DOF（曝光时需远大于晶圆表面不平整度以保证良率）、EL（在满足DOF前提下达标，如Krf光刻胶DOF大于150nm时EL达10%）、CD uniformity（看CDU的3simga值是否in spec）、CD LWR等。
OVL（套刻精度）：当层图形和前层图形对准精度，技术越先进要求越高，节点变小使OVL窗口变小，难度增加。量测模式有IBO（对量测Mark拍照）和DBO（收集衍射光并转换成数字信号）。Defect（图形缺陷）设备原因：通过定期机台维护和清理解决。
Coating Defect：由光刻胶本身特性决定，在评估阶段发现并解决。
Developing Defect：因显影过程不完全导致，需优化显影配方。国内厂商因材料基础知识认知不完善，光阻添加剂运用不合理，显影缺陷可能远差于国外大厂，解决周期长。
一线工程师眼中国产光刻胶的情况与国外大厂产品的差距性能方面：存在工艺窗口不足、光刻胶profile差异、各种Defect问题。
量产与原材料：稳定量产以及原材料渠道存在问题，这些问题会限制国内各大Fab厂的发展进程。
国产化的可行性及优势性能改善：光刻胶性能问题可通过优化配方改善，如DOW的UV1610系列光刻胶经历十几次配方优化，评估周期1- 2年，因普适性强得以量产。国产光刻胶公司品类与款数要多，具有普适性，能大范围应用在Fab的不同层面工艺，如能同时解决高端Arf与Krf，线条与孔洞胶的公司，整体合作与导入成本更低。
市场机会：国外大厂服务态度敷衍，国产光刻胶产品性能不足可通过不断测试、反馈、优化改进，且在国家大力扶持半导体国产材料背景下，国产化进程更高效。目前国内已有优秀公司能满足大多数Fab厂需求，研发反馈效率高，欠缺经验。
先进制程机遇：先进制程领域Arf immersion光刻胶运用多，光刻层数增多对国产光刻胶厂商是机遇，能在Arf immersion光刻胶突破的公司可证明技术与工艺优势，占据国产光刻材料市场。
对国产光刻胶公司的建议供应链管理：打通各个Fab厂供应链，分清成熟工艺和尚在研发工艺主次，拿下成熟工艺替换，耐心完成先进工艺开发评估，实时跟进。
关系维护：维护好与各大Fab厂关系，研发负责新技术节点开发，评估光刻胶多用于新节点，周期长；生产注重量产产品替换，节奏紧凑。
供应稳定性：解决树脂乃至单体问题，保障材料供应稳定，避免影响光刻胶稳定供应。